国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域2014年度备选项目征集指南</DIV><DIV 日期:2013年04月16日 来源:科技部 http://www.iop.cas.cn/xwzx/xmtz/201304/t20130417_3821226.html 一、指南方向与内容 1. 新型电子材料与器件 1.1 第三代半导体材料及应用 1.1.1 高质量第三代半导体材料关键技术 开展第三代半导体材料大尺寸、低成本、高质量衬底制备和外延技术研究,突破相关核心关键技术,满足高温、高频、高效大功率器件研制的需求。 1.1.2 第三代半导体器件制备及评价技术 开展第三代半导体芯片制备、器件封装技术和工艺研究,开发低成本批量生产技术,研究材料和组件失效机理与寿命快速评价方法,满足高效新型大功率电力电子、通信、光电等领域的应用需求。 。。。。。。。 二、指南申报要求 1.实施年限 项目实施年限原则上为3年。 2.申报说明 本指南申报方向均为前沿技术类。须按指南三级标题(如:1.1.1)的研究方向进行项目申报,可针对其中的部分研究内容申报,每个项目的国拨经费控制额不超过1000万元。 3.申报咨询 联系人:史冬梅、蒋志君 电 话:010-68338021、68338919 ?????????????????????????? 以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。 2013PCIM展上海举办 碳化硅器件成焦点http://www.ca800.com/news/html/2013-6-10/n168354_0.html
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